邏輯芯片又叫可編程邏輯器件，英文 PLD。PLD是做為一種通用集成電路產(chǎn)生的，他的邏輯功能按照用戶對(duì)器件編程來(lái)確定。一般的PLD的集成度很高，足以滿足設(shè)計(jì)一般的數(shù)字系統(tǒng)的需要。

存儲(chǔ)芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用。因此，無(wú)論是系統(tǒng)芯片還是存儲(chǔ)芯片，都是通過(guò)在單一芯片中嵌入軟件，實(shí)現(xiàn)多功能和高性能，以及對(duì)多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。

邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的區(qū)別

邏輯芯片的工藝目前還在20nm左右，比如Intel的CPU，而存儲(chǔ)芯片都已逼近10nm，比如閃存，到底2者有何不同？

1） 差異：兩種芯片工藝的不同主要是由兩種芯片的核心部件-晶體管的結(jié)構(gòu)/工作模式的差異造成，可參考半導(dǎo)體器件相關(guān)的書籍和論文。

2） 尺寸：從gate length這個(gè)指標(biāo)來(lái)看，你說(shuō)的沒(méi)錯(cuò)，2D NAND Flash的uncontacted poly的half pitch目前已經(jīng)優(yōu)于14/16nm FINFET的Lg。根據(jù)ITRS 2015數(shù)據(jù)，前者為15nm，后者為24nm。[1]

3） 命名：但需要說(shuō)明的是，半導(dǎo)體工業(yè)界對(duì)邏輯產(chǎn)品（MPU/ASIC）和非揮發(fā)存儲(chǔ)器(Flash)的工藝節(jié)點(diǎn)（technology node）的命名是不同的。在相當(dāng)長(zhǎng)1段時(shí)間內(nèi)，前者用的是contacted metal line的half pitch，后者用的是uncontacted poly（floating gate）的half pitch。前者的physical Lg實(shí)際上比節(jié)點(diǎn)數(shù)字更小，而后者中的SL/BL的Lg比節(jié)點(diǎn)數(shù)字更大。[2]

4） 新結(jié)構(gòu)：然而3）中的定義方式隨著近幾年新型器件的步入市場(chǎng)也發(fā)生了變化，如FINFET和3D NAND。以2）中所舉例的14/16nm FINFET工藝為例，其contacted metal line的half pitch為2⑧nm，而非標(biāo)稱的14/16nm。而3D NAND的節(jié)點(diǎn)命名已改為minimum array half pitch，約為⑧0nm。[1]

5） 估算：由于標(biāo)稱節(jié)點(diǎn)數(shù)字與實(shí)際工藝參數(shù)之間的差異，以及各家公司的命名也存在差異，易造成混亂，于是ASML給出了1個(gè)估算式，可以根據(jù)各家公司的實(shí)際工藝參數(shù)推算出1個(gè)與標(biāo)稱節(jié)點(diǎn)數(shù)字相近的數(shù)字，目前為業(yè)界所普遍采用。[3]

6） 先進(jìn)度：目前，兩種芯片的結(jié)構(gòu)存在較大差異，且各自有各自的評(píng)價(jià)方式，所以并不好說(shuō)誰(shuí)的工藝技術(shù)更先進(jìn)，只能說(shuō)分別在自己的道路上追求更加極致的性能。