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在進(jìn)入深亞微米以后，存儲芯片的node和邏輯芯片的node已經(jīng)不是一個概念了。很久以前 芯片的node是用half pitch/柵極長度來定的，比如intel 0.5 μm 工藝的Lg= 0.5 μm， 它的half pitch也是是 0.5 μm，這兩個數(shù)值是一致的，這個對于存儲芯片也一樣。但是到了1997年，這兩個數(shù)值開始偏離的，因為intel開始追求更小的柵極長度而不是更高密度的芯片（柵極長度決定芯片的速度）比如Intel的0.18的制程對應(yīng)的half pitch其實 230nm。但是存儲芯片還是在追求更高密度的集成度，所以half pitch還是memory追求的目標(biāo)。
到了FINFET時代，node的概念就更混亂了，簡直是一個數(shù)字各自表述。不過基本上intel22nm=TSMC16nm=SAMSUNG14nm，看上去只有Intel的數(shù)字比較靠譜，其他廠的水分都太高了
在儲存芯片方面，相對簡單一點(diǎn)，不過最小pitch的定義各廠也略有不同，micron是用word line的pitch, 韓系廠則是用active的pitch. 不過最簡單的還是看DRAM的容量
最后再解釋一下為什么定義half pitch比單純追求柵極長度的最小要難：對于光學(xué)成像的光刻技術(shù)，最小的分辨率是在于解析兩個最小間距的圖形的能力。也就是說做一個圖形，再小都可以做到，但是要把兩個最小圖形區(qū)分開來才是光刻的極限。道理跟光學(xué)上的瑞利判據(jù)是一個道理，所以存儲芯片的14nm就要比邏輯芯片的14nm的難度高。不過這是純粹從光學(xué)角度上來說的，其實存儲芯片的設(shè)計和良率要求與邏輯芯片差異很大，所以綜合難度（defect, OPC）上來說其實差不多的, 所以現(xiàn)階段半導(dǎo)體的最高水平還是以邏輯芯片為指標(biāo)的，看intel, Samsung 和TSMC拼的你是我活就知道了
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